Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | TH58BYG3S0HBAI6 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille mémoire | 8Gb (1G x 8) |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 25ns |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | - |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TH58BVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE | - | 9448 | Détails |
 |
TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | 182 | Détails | |
 |
TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | 96 | Détails | |
 |
TH58BVG3S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | - | 0 | Détails |
 |
TH58BVG3S0HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE | - | 6036 | Détails |
 |
TH58BYG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4G SLC NAND BGA 24NM | - | 9448 | Détails |
 |
TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA | - | 96 | Détails |
|
TH58BYG3S0HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V | - | 6163 | Détails |