TH58BYG2S3HBAI4

4G SLC NAND BGA 24NM
TH58BYG2S3HBAI4 P1
TH58BYG2S3HBAI4 P1
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Toshiba Memory America, Inc. ~ TH58BYG2S3HBAI4

Numéro d'article
TH58BYG2S3HBAI4
Fabricant
Toshiba Memory America, Inc.
La description
4G SLC NAND BGA 24NM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TH58BYG2S3HBAI4 PDF online browsing
Famille
Mémoire
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Numéro d'article TH58BYG2S3HBAI4
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire -
Tension - Alimentation -
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 63-VFBGA
Package de périphérique fournisseur 63-TFBGA (9x11)

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