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| Numéro d'article | NCD5702DR2G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration pilotée | Half-Bridge |
| Type de canal | Independent |
| Nombre de pilotes | 1 |
| Type de porte | IGBT |
| Tension - Alimentation | 5.5V |
| Tension logique - VIL, VIH | 0.75V, 4.3V |
| Courant - sortie de crête (source, évier) | 7.8A, 6.8A |
| Type d'entrée | Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 9.2ns, 7.9ns |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 16-SOIC |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NCD57000DWR2G | ON Semiconductor | GALVANIC ISOLATED HIGH CU | - | 26152 | Détails |
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NCD57001DWR2G | ON Semiconductor | GALVANIC ISOLATED HIGH CU | - | 27529 | Détails |
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NCD5700DR2G | ON Semiconductor | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | - | 2500 | Détails |
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NCD5701ADR2G | ON Semiconductor | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | - | 2500 | Détails |
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NCD5701BDR2G | ON Semiconductor | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | - | 2500 | Détails |
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NCD5701CDR2G | ON Semiconductor | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | - | 2500 | Détails |
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NCD5702DR2G | ON Semiconductor | METAL SPIN OF NCD5702. HI | - | 60946 | Détails |
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NCD5703ADR2G | ON Semiconductor | METAL SPIN OF NCD5703A. H | - | 84753 | Détails |
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NCD5703BDR2G | ON Semiconductor | METAL SPIN OF NCD5703B. H | - | 84753 | Détails |
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NCD5703CDR2G | ON Semiconductor | METAL SPIN OF NCD5703C. H | - | 84753 | Détails |