NCD5701ADR2G

HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
NCD5701ADR2G P1
NCD5701ADR2G P1
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ON Semiconductor ~ NCD5701ADR2G

Numéro d'article
NCD5701ADR2G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article NCD5701ADR2G
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Single
Nombre de pilotes 1
Type de porte IGBT
Tension - Alimentation 20V
Tension logique - VIL, VIH -
Courant - sortie de crête (source, évier) 4A, 6A
Type d'entrée -
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 18ns, 19ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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