A2V07H525-04NR6

AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
A2V07H525-04NR6 P1
A2V07H525-04NR6 P1
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NXP USA Inc. ~ A2V07H525-04NR6

Numéro d'article
A2V07H525-04NR6
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- A2V07H525-04NR6 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2V07H525-04NR6
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 595MHz ~ 851MHz
Gain 17.5dB
Tension - Test 48V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 700mA
Puissance - Sortie 120W
Tension - Rated 105V
Paquet / cas OM-1230-4L
Package de périphérique fournisseur OM-1230-4L

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