A2V07H400-04NR3

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2V07H400-04NR3 P1
A2V07H400-04NR3 P1
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NXP USA Inc. ~ A2V07H400-04NR3

Numéro d'article
A2V07H400-04NR3
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- A2V07H400-04NR3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2V07H400-04NR3
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 595MHz ~ 851MHz
Gain 19.9dB
Tension - Test 48V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 700mA
Puissance - Sortie 267W
Tension - Rated 105V
Paquet / cas OM-780-4L
Package de périphérique fournisseur OM-780-4L

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