A2T27S020NR1

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T27S020NR1 P1
A2T27S020NR1 P1
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NXP USA Inc. ~ A2T27S020NR1

Numéro d'article
A2T27S020NR1
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- A2T27S020NR1 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2T27S020NR1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 400MHz ~ 2.7GHz
Gain 21dB
Tension - Test 28V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 185mA
Puissance - Sortie 20W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas TO-270-2
Package de périphérique fournisseur TO-270-2

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