A2T27S020NR1

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T27S020NR1 P1
A2T27S020NR1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2T27S020NR1

Artikelnummer
A2T27S020NR1
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- A2T27S020NR1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2T27S020NR1
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 400MHz ~ 2.7GHz
Gewinnen 21dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 185mA
Leistung 20W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall TO-270-2
Lieferantengerätepaket TO-270-2

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