APTGTQ100H65T3G

POWER MODULE - IGBT
APTGTQ100H65T3G P1
APTGTQ100H65T3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGTQ100H65T3G

Numéro d'article
APTGTQ100H65T3G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
POWER MODULE - IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGTQ100H65T3G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGTQ100H65T3G
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur SP3F

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