APTGTQ100H65T3G

POWER MODULE - IGBT
APTGTQ100H65T3G P1
APTGTQ100H65T3G P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Microsemi Corporation ~ APTGTQ100H65T3G

Número de pieza
APTGTQ100H65T3G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
POWER MODULE - IGBT
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- APTGTQ100H65T3G PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza APTGTQ100H65T3G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Full Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 650V
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Potencia - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo) 100µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 6nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor SP3F

Productos relacionados

Todos los productos