APT50GT120JRDQ2

IGBT 1200V 72A 379W SOT227
APT50GT120JRDQ2 P1
APT50GT120JRDQ2 P1
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Microsemi Corporation ~ APT50GT120JRDQ2

Numéro d'article
APT50GT120JRDQ2
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 1200V 72A 379W SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APT50GT120JRDQ2
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 72A
Puissance - Max 379W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 400µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas ISOTOP
Package de périphérique fournisseur ISOTOP®

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