APT50GT120JRDQ2

IGBT 1200V 72A 379W SOT227
APT50GT120JRDQ2 P1
APT50GT120JRDQ2 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APT50GT120JRDQ2

Artikelnummer
APT50GT120JRDQ2
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 72A 379W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APT50GT120JRDQ2.pdf APT50GT120JRDQ2 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer APT50GT120JRDQ2
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 72A
Leistung max 379W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 400µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall ISOTOP
Lieferantengerätepaket ISOTOP®

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