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| Numéro d'article | 1N5281B |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Tension - Zener (Nom) (Vz) | 200V |
| Tolérance | ±5% |
| Puissance - Max | 500mW |
| Impédance (Max) (Zzt) | 2500 Ohm |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 152V |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | DO-35 (DO-204AH) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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1N5059GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 8000 | Détails |
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1N5059GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5059TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Détails |
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1N5059TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Détails |
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1N5060 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A | - | 0 | Détails |
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1N5060GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 8000 | Détails |
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1N5060GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5060GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5060GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5060TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 0 | Détails |
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1N5060TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 20000 | Détails |
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1N5061 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A | - | 0 | Détails |