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| 부품 번호 | 1N5281B |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 전압 - 제너 (Nom) (Vz) | 200V |
| 공차 | ±5% |
| 전력 - 최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 2500 Ohm |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 100nA @ 152V |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.5V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급 업체 장치 패키지 | DO-35 (DO-204AH) |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N5059GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 8000 | 세부 |
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1N5059GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | 세부 |
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1N5059TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | 세부 |
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1N5059TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | 세부 |
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1N5060 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A | - | 0 | 세부 |
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1N5060GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 8000 | 세부 |
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1N5060GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | 세부 |
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1N5060GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | 세부 |
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1N5060GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | 세부 |
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1N5060TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 0 | 세부 |
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1N5060TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 20000 | 세부 |
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1N5061 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A | - | 0 | 세부 |