IXRFSM18N50

18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE
IXRFSM18N50 P1
IXRFSM18N50 P1
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IXYS-RF ~ IXRFSM18N50

Numéro d'article
IXRFSM18N50
Fabricant
IXYS-RF
La description
18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXRFSM18N50
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340 mOhm @ 9.5A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 400V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 835W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 16-SMPD
Paquet / cas 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad

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