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| Numéro d'article | IXRFSM12N100 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1000V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 6A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2875pF @ 800V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 940W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 16-SMPD |
| Paquet / cas | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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