IXTN210P10T

MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
IXTN210P10T P1
IXTN210P10T P1
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IXYS ~ IXTN210P10T

Numéro d'article
IXTN210P10T
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTN210P10T
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 210A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 69500pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 105A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC

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