IXTN110N20L2

MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
IXTN110N20L2 P1
IXTN110N20L2 P1
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IXYS ~ IXTN110N20L2

Numéro d'article
IXTN110N20L2
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTN110N20L2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 55A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC

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