IXTH2N300P3HV

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
IXTH2N300P3HV P1
IXTH2N300P3HV P1
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IXYS ~ IXTH2N300P3HV

Numéro d'article
IXTH2N300P3HV
Fabricant
IXYS
La description
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXTH2N300P3HV PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTH2N300P3HV
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 3000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247HV
Paquet / cas TO-247-3

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