IXTH2N300P3HV

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
IXTH2N300P3HV P1
IXTH2N300P3HV P1
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IXYS ~ IXTH2N300P3HV

Numero di parte
IXTH2N300P3HV
fabbricante
IXYS
Descrizione
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTH2N300P3HV
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 3000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247HV
Pacchetto / caso TO-247-3

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