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| Numéro d'article | GB02SHT03-46 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 4A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 1A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
| Capacitance @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-46 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 225°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | 45 | Détails | |
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GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | 176 | Détails | |
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GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | 54 | Détails | |
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