GB02SHT03-46

DIODE SCHOTTKY 300V 4A
GB02SHT03-46 P1
GB02SHT03-46 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

GeneSiC Semiconductor ~ GB02SHT03-46

品番
GB02SHT03-46
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE SCHOTTKY 300V 4A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GB02SHT03-46.pdf GB02SHT03-46 PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
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製品パラメータ

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品番 GB02SHT03-46
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 300V
電流 - 平均整流(Io) 4A (DC)
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 1.6V @ 1A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) 0ns
電流 - 逆リーク(Vr) 5µA @ 300V
容量Vr、F 76pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
サプライヤデバイスパッケージ TO-46
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 225°C

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