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| Numéro d'article | 1N969B BK |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Tension - Zener (Nom) (Vz) | 22V |
| Tolérance | ±5% |
| Puissance - Max | 500mW |
| Impédance (Max) (Zzt) | 29 Ohm |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 16.7V |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | DO-35 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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1N914 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | - | 599 | Détails |
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1N914-T50A | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 5726971 | Détails |
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1N914-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Détails |
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1N914A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Détails |
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1N914ATR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 20000 | Détails |
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1N914A_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Détails |
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1N914B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 13981 | Détails |
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1N914B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 4786349 | Détails |
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1N914B,113 | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 | 0 | Détails | |
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1N914B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Détails |
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1N914BTR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 80000 | Détails |
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1N914BTR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 10847 | Détails |