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| 부품 번호 | 1N969B BK |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 전압 - 제너 (Nom) (Vz) | 22V |
| 공차 | ±5% |
| 전력 - 최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 29 Ohm |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 5µA @ 16.7V |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.5V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급 업체 장치 패키지 | DO-35 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N914 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | - | 599 | 세부 |
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1N914-T50A | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 5726971 | 세부 |
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1N914-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | 세부 |
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1N914A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | 세부 |
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1N914ATR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 20000 | 세부 |
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1N914A_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | 세부 |
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1N914B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 13981 | 세부 |
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1N914B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 4786349 | 세부 |
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1N914B,113 | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 | 0 | 세부 | |
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1N914B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | 세부 |
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1N914BTR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 80000 | 세부 |
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1N914BTR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 10847 | 세부 |