Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQS405ENW-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2650pF @ 6V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 39W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQS405EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 | - | 136920 | Einzelheiten |
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SQS405ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 | - | 136920 | Einzelheiten |