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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | SQS405ENW-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 20 mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 75nC @ 8V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2650pF @ 6V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 39W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SQS405EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 | - | 136920 | 詳細 |
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SQS405ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 | - | 136920 | 詳細 |