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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIHFB11N50A-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 170W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFB11N50A-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB | - | 37285 | Einzelheiten |
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SIHFB20N50K-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB | - | 9408 | Einzelheiten |