| номер части | SIHFB11N50A-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 500V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1423pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 170W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Упаковка / чехол | TO-220-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHFB11N50A-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB | - | 37285 | подробности |
|
SIHFB20N50K-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB | - | 9408 | подробности |
