Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7302DN-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 220V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7302DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SI7302DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SI7308DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 | - | 3000 | Einzelheiten |
 |
SI7308DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SI7309DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SI7309DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK | - | 6000 | Einzelheiten |