SI7309DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
SI7309DN-T1-GE3 P1
SI7309DN-T1-GE3 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Siliconix ~ SI7309DN-T1-GE3

Artikelnummer
SI7309DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- SI7309DN-T1-GE3 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer SI7309DN-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 3.9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8

Verwandte Produkte

Alle Produkte