APTGLQ150H120G

POWER MODULE - IGBT
APTGLQ150H120G P1
APTGLQ150H120G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGLQ150H120G

Artikelnummer
APTGLQ150H120G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- APTGLQ150H120G PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGLQ150H120G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 250A
Leistung max 750W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.8nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket SP6

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