APTGLQ150H120G

POWER MODULE - IGBT
APTGLQ150H120G P1
APTGLQ150H120G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGLQ150H120G

부품 번호
APTGLQ150H120G
제조사
Microsemi Corporation
기술
POWER MODULE - IGBT
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- APTGLQ150H120G PDF online browsing
가족
트랜지스터 - IGBT - 모듈
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제품 매개 변수

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부품 번호 APTGLQ150H120G
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench Field Stop
구성 Full Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 250A
전력 - 최대 750W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 8.8nF @ 25V
입력 Standard
NTC 서미스터 No
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Module
공급 업체 장치 패키지 SP6

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