MIEB101H1200EH

IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
MIEB101H1200EH P1
MIEB101H1200EH P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IXYS ~ MIEB101H1200EH

Artikelnummer
MIEB101H1200EH
Hersteller
IXYS
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer MIEB101H1200EH
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 183A
Leistung max 630W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 300µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall E3
Lieferantengerätepaket E3

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