MIEB101H1200EH

IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
MIEB101H1200EH P1
MIEB101H1200EH P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ MIEB101H1200EH

номер части
MIEB101H1200EH
производитель
IXYS
Описание
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MIEB101H1200EH PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MIEB101H1200EH
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Full Bridge Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 183A
Мощность - макс. 630W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 300µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол E3
Пакет устройств поставщика E3

сопутствующие товары

Все продукты