FF150R17ME3GBOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 150A
FF150R17ME3GBOSA1 P1
FF150R17ME3GBOSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ FF150R17ME3GBOSA1

Artikelnummer
FF150R17ME3GBOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- FF150R17ME3GBOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer FF150R17ME3GBOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 240A
Leistung max 1050W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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