FF150R17ME3GBOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 150A
FF150R17ME3GBOSA1 P1
FF150R17ME3GBOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FF150R17ME3GBOSA1

номер части
FF150R17ME3GBOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FF150R17ME3GBOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FF150R17ME3GBOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация 2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 240A
Мощность - макс. 1050W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 3mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 13.5nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты