SISS70DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V
SISS70DN-T1-GE3 P1
SISS70DN-T1-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SISS70DN-T1-GE3

Parça numarası
SISS70DN-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET N-CH 125V
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SISS70DN-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SISS70DN-T1-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 125V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 8.5A (Ta), 31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3nC @ 10V
Vgs (Maks.) ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 535pF @ 62.5V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerPAK® 1212-8S
Paket / Durum PowerPAK® 1212-8S

ilgili ürünler

Tüm ürünler