Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI3481DV-T1-E3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | P-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 4A (Ta) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 1.14W (Ta) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 6-TSOP |
| Paket / Durum | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3480-A01-GM | Silicon Labs | IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3480-A01-GMR | Silicon Labs | IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3481DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3481DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3482-A01-GM | Silicon Labs | IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3482-A01-GMR | Silicon Labs | IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN | - | 24599 | ayrıntılar |
|
SI3483-A02-GM | Silicon Labs | IC POE PSE 64PORT 24QFN | - | 0 | ayrıntılar |
|
SI3483-A02-GMR | Silicon Labs | IC POE PSE 64PORT 24QFN | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3483CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP | - | 621000 | ayrıntılar |
 |
SI3483DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3483DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |