SI2301BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
SI2301BDS-T1-E3 P1
SI2301BDS-T1-E3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SI2301BDS-T1-E3

Parça numarası
SI2301BDS-T1-E3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SI2301BDS-T1-E3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SI2301BDS-T1-E3
Parça Durumu Active
FET Tipi P-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 20V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 2.2A (Ta)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 6V
Vgs (Maks.) ±8V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 700mW (Ta)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Durum TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ilgili ürünler

Tüm ürünler