Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | TPN22006NH,LQ |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 60V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 9A (Ta) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 6.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 30V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Durum | 8-PowerVDFN |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN22006NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON | - | 0 | ayrıntılar |