RN1130MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
RN1130MFV,L3F P1
RN1130MFV,L3F P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1130MFV,L3F

Parça numarası
RN1130MFV,L3F
Üretici firma
Toshiba Semiconductor and Storage
Açıklama
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- RN1130MFV,L3F PDF online browsing
Aile
Transistörler - Bipolar (BJT) - Tek, Ön Önyargılı
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası RN1130MFV,L3F
Parça Durumu Active
Transistör Tipi NPN - Pre-Biased
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 100mA
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 50V
Direnç - Taban (R1) (Ohm) 100k
Direnç - Verici Tabanı (R2) (Ohms) 100k
DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Doygunluk (Maks) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) 500nA
Frekans - Geçiş 250MHz
Maksimum güç 150mW
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum SOT-723
Tedarikçi Aygıt Paketi VESM

ilgili ürünler

Tüm ürünler