FDD10AN06A0-F085

MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
FDD10AN06A0-F085 P1
FDD10AN06A0-F085 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

ON Semiconductor ~ FDD10AN06A0-F085

Parça numarası
FDD10AN06A0-F085
Üretici firma
ON Semiconductor
Açıklama
MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- FDD10AN06A0-F085 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası FDD10AN06A0-F085
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 60V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs (Maks.) ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 1840pF @ 25V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 135W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi TO-252AA
Paket / Durum TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ilgili ürünler

Tüm ürünler