JANS1N3595US

DIODE GEN PURP 200MA DO35
JANS1N3595US P1
JANS1N3595US P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ JANS1N3595US

Parça numarası
JANS1N3595US
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
DIODE GEN PURP 200MA DO35
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- JANS1N3595US PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası JANS1N3595US
Parça Durumu Active
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) -
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 200mA (DC)
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1V @ 200mA
hız Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Geri Tutma Süresi (trr) 3µs
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 1nA @ 125V
Kapasitans @ Vr, F -
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum SQ-MELF, B
Tedarikçi Aygıt Paketi B, SQ-MELF
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -65°C ~ 150°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler