APTM50DDAM65T3G

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
APTM50DDAM65T3G P1
APTM50DDAM65T3G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ APTM50DDAM65T3G

Parça numarası
APTM50DDAM65T3G
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- APTM50DDAM65T3G PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası APTM50DDAM65T3G
Parça Durumu Active
FET Tipi 2 N-Channel (Dual)
FET Özelliği Standard
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 500V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 51A
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
Maksimum güç 390W
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum SP3
Tedarikçi Aygıt Paketi SP3

ilgili ürünler

Tüm ürünler