APTM100TDU35PG

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
APTM100TDU35PG P1
APTM100TDU35PG P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ APTM100TDU35PG

Parça numarası
APTM100TDU35PG
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
APTM100TDU35PG.pdf APTM100TDU35PG PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası APTM100TDU35PG
Parça Durumu Obsolete
FET Tipi 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET Özelliği Standard
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 1000V (1kV)
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 22A
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Maksimum güç 390W
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum SP6
Tedarikçi Aygıt Paketi SP6-P

ilgili ürünler

Tüm ürünler