Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | APT45GR65B2DU30 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| IGBT Tipi | NPT |
| Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) | 650V |
| Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) | 118A |
| Akım - Toplayıcı Darbeli (Icm) | 224A |
| Vce (açık) (Maks) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Maksimum güç | 543W |
| Anahtarlama Enerjisi | - |
| Giriş tipi | Standard |
| Kapı Ücreti | 203nC |
| Td (açma / kapama) @ 25 ° C | 15ns/100ns |
| Test Durumu | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| Geri Tutma Süresi (trr) | 80ns |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | TO-247-3 |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | T-MAX™ [B2] |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | - | 348 | ayrıntılar |
 |
APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | - | 57 | ayrıntılar |
 |
APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | - | 62 | ayrıntılar |
|
APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | - | 0 | ayrıntılar |