1N5554US

DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
1N5554US P1
1N5554US P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ 1N5554US

Parça numarası
1N5554US
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- 1N5554US PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası 1N5554US
Parça Durumu Active
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 1000V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 3A
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.2V @ 9A
hız Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 2µs
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 1µA @ 1000V
Kapasitans @ Vr, F -
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum SQ-MELF, B
Tedarikçi Aygıt Paketi B, SQ-MELF
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -65°C ~ 175°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler