Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SPB21N50C3ATMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Not For New Designs |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 560V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 21A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 208W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Durum | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPB21N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | 0 | ayrıntılar | |
 |
SPB21N10 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | 0 | ayrıntılar | |
 |
SPB21N10T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SPB21N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 | - | 1000 | ayrıntılar |
 |
SPB21N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 | - | 29881 | ayrıntılar |