CDBD2SC21200-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
CDBD2SC21200-G P1
CDBD2SC21200-G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Comchip Technology ~ CDBD2SC21200-G

Parça numarası
CDBD2SC21200-G
Üretici firma
Comchip Technology
Açıklama
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- CDBD2SC21200-G PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası CDBD2SC21200-G
Parça Durumu Active
Diyot Türü Silicon Carbide Schottky
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 1200V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 6.2A (DC)
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.7V @ 2A
hız No Recovery Time > 500mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 0ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 100µA @ 1200V
Kapasitans @ Vr, F 136pF @ 0V, 1MHz
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tedarikçi Aygıt Paketi TO-263 (D2Pak)
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -55°C ~ 175°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler