Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | 1N5818 TR |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | Schottky |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 30V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 1A |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 550mV @ 1A |
| hız | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Geri Tutma Süresi (trr) | - |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 1mA @ 30V |
| Kapasitans @ Vr, F | - |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | DO-41 |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -65°C ~ 150°C |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5059GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 8000 | ayrıntılar |
 |
1N5059GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N5059TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N5059TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N5060 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N5060GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 8000 | ayrıntılar |
 |
1N5060GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N5060GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N5060GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | ayrıntılar |
|
1N5060TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N5060TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 20000 | ayrıntılar |
 |
1N5061 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A | - | 0 | ayrıntılar |